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開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI預(yù)測(cè)方法研究

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1260次  |  2019年12月27日  

摘要:針對(duì)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)階段應(yīng)考慮的EMC問(wèn)題,介紹了PCB及其結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)提取和頻域仿真的方法,在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)階段對(duì)其傳導(dǎo)EMI進(jìn)行預(yù)測(cè),定位開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI傳播路徑的影響因素,在此基礎(chǔ)上給出開(kāi)關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開(kāi)關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過(guò)程中需要注意的問(wèn)題以及降低開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析和總結(jié)。


1引言


隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高以及功率密度的增加,開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的電磁環(huán)境越來(lái)越復(fù)雜,其電磁兼容問(wèn)題成為電源設(shè)計(jì)中的一大重點(diǎn),同時(shí)也成為電源設(shè)計(jì)工作的一大難點(diǎn)。常規(guī)設(shè)計(jì)方法中,依靠經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)處理EMC問(wèn)題,樣機(jī)建立完畢之后才能對(duì)EMC問(wèn)題做最后的考慮。傳統(tǒng)的EMC的補(bǔ)救辦法只能增加額外的元器件,而增加元件有可能影響原始的控制環(huán)帶寬,造成重新設(shè)計(jì)整個(gè)系統(tǒng)的最壞情況,增加了設(shè)計(jì)成本。為了避免出現(xiàn)這樣的情況,需要在設(shè)計(jì)過(guò)程中考慮EMC的問(wèn)題,對(duì)開(kāi)關(guān)電源的EMI進(jìn)行一定精度的分析和預(yù)測(cè),并根據(jù)干擾產(chǎn)生的機(jī)理及其在各頻帶的分布情況改進(jìn)設(shè)計(jì),降低EMI水平,從而降低設(shè)計(jì)成本。


2開(kāi)關(guān)電源EMI特點(diǎn)及分類


對(duì)開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)電磁干擾進(jìn)行預(yù)測(cè),首先需要明確其產(chǎn)生機(jī)理以及噪聲源的各項(xiàng)特性。由于功率開(kāi)關(guān)管的高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作,其電壓和電流變化率都很高,上升沿和下降沿包含了豐富的高次諧波,所以產(chǎn)生的電磁干擾強(qiáng)度大;開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾主要集中在二極管、功率開(kāi)關(guān)器件以及與其相連的散熱器和高頻變壓器附近;由于開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)頻率從幾十kHz到幾MHz,所以開(kāi)關(guān)電源的干擾形式主要是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾。其中,傳導(dǎo)干擾會(huì)通過(guò)噪聲傳播路徑注入電網(wǎng),干擾接入電網(wǎng)的其他設(shè)備。


開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)干擾分為2大類。


1)差模(DM)干擾。DM噪聲主要由di/dt引起,通過(guò)寄生電感,電阻在火線和零線之間的回路中傳播,在兩根線之間產(chǎn)生電流Idm,不與地線構(gòu)成回路。


2)共模(CM)干擾。CM噪聲主要由dv/dt引起,通過(guò)PCB的雜散電容在兩條電源線與地的回路中傳播,干擾侵入線路和地之間,干擾電流在兩條線上各流過(guò)二分之一,以地為公共回路;在實(shí)際電路中由于線路阻抗不平衡,使共模信號(hào)干擾會(huì)轉(zhuǎn)化為不易消除的串?dāng)_干擾。


3開(kāi)關(guān)電源EMI的仿真分析


從理論上來(lái)講,無(wú)論是時(shí)域仿真還是頻域仿真,只要建立了合理的分析模型,其仿真結(jié)果都能正確反映系統(tǒng)的EMI量化程度。


時(shí)域仿真方法需要建立變換器中包含所有元件參數(shù)的電路模型,利用PSPICE或Saber軟件進(jìn)行仿真分析,使用快速傅里葉分析工具得到EMI的頻譜波形,這種方法在DM噪聲的分析中已經(jīng)得到了驗(yàn)證。然而開(kāi)關(guān)電源中的非線性元件如MOSFET,IGBT等半導(dǎo)體器件,其非線性特性和雜散參數(shù)使模型非常復(fù)雜,同時(shí)開(kāi)關(guān)電源電路工作時(shí)其電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不斷改變,導(dǎo)致了仿真中出現(xiàn)不收斂的問(wèn)題。在研究CM噪聲時(shí),必須包含所有的寄生元件參數(shù),由于寄生參數(shù)的影響,F(xiàn)FT結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果很難吻合;開(kāi)關(guān)功率變換器通常工作在很大的時(shí)間常數(shù)范圍內(nèi),主要包括3組時(shí)間常數(shù):與輸出端的基本頻率有關(guān)的時(shí)間常數(shù)(幾十ms);與開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)頻率有關(guān)的時(shí)間常數(shù)(幾十μs);與開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通或關(guān)斷時(shí)的上升時(shí)間和下降時(shí)間有關(guān)的時(shí)間常數(shù)(幾ns)。


正因如此,在時(shí)域仿真中,必須使用非常小的計(jì)算步長(zhǎng),并且需要用很長(zhǎng)時(shí)間才能完成計(jì)算;另外,時(shí)域方法得到的結(jié)果往往不能清晰地分析電路中各個(gè)變量對(duì)干擾的影響,不能深層解釋開(kāi)關(guān)電源的EMI行為,而且缺乏對(duì)EMI機(jī)理的判斷,不能為降低EMI給出明確的解決方案。


頻域仿真是基于噪聲源和傳播途徑阻抗模型基礎(chǔ)上的分析方法。利用LISN為噪聲源提供標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載阻抗。如圖1所示,從LISN看過(guò)去,整個(gè)系統(tǒng)可以簡(jiǎn)化成噪聲源、噪聲路徑和噪聲接收器(LISN)。頻域方法可以大大降低仿真計(jì)算的時(shí)間,一般不會(huì)出現(xiàn)計(jì)算結(jié)果不收斂的情況。



圖1噪聲源與傳播路徑概念


圖1中,噪聲路徑包括PCB傳導(dǎo)、耦合路徑,散熱片電容耦合路徑,變壓器耦合路徑等。


4基于頻域方法的SMPS等效電路模型


對(duì)開(kāi)關(guān)電源進(jìn)行頻域仿真,首先要建立開(kāi)關(guān)電源的頻域仿真模型。開(kāi)關(guān)電源EMI頻域預(yù)測(cè)的重點(diǎn)是對(duì)噪聲路徑的建模,其中包括:無(wú)源器件的高頻模型;PCB及結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)的抽取。


在考慮無(wú)源器件、PCB及結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)的基礎(chǔ)上,建立開(kāi)關(guān)電源集中參數(shù)的電路模型,可以通過(guò)計(jì)算或仿真得到該電路的阻抗,諧振點(diǎn)等,從而為降低EMI提供有力的依據(jù)。


由于差模噪聲和共模噪聲的傳播路徑不同,有必要對(duì)DM傳播路徑和CM傳播路徑分別建模。這樣可以更好地分析各種干擾的特點(diǎn),而且還可以為設(shè)計(jì)濾波器提供有力的依據(jù)。


4.1噪聲源的模型建立


由于需要分別對(duì)DM噪聲和CM噪聲進(jìn)行分析,所以對(duì)DM噪聲源和CM噪聲源也需要分別建模。M.Nave在文獻(xiàn)[3]中提出使用電流源作為DM噪聲源,使用電壓源作為CM噪聲源的方法,就是因?yàn)镈M噪聲主要由di/dt引起,而CM噪聲則主要由dv/dt引起。文獻(xiàn)[4]在此基礎(chǔ)上對(duì)CM噪聲源進(jìn)行了改進(jìn),考慮了電壓過(guò)沖和下沖,并且在線路阻抗近似平衡的情況下,利用DM電流源和一個(gè)電壓源來(lái)表示CM噪聲源(如圖2所示)。



圖2共模噪聲源的表示


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