充電IC隨著NB的演化，不斷的在更新。除了基本的充電功能外，適時的提供電池能量混搭適配器一起供給系統(tǒng)用電，已是必備的功能。架構(gòu)上大致上有NVDC（NarrowVDC），HpB（HybridpowerBoost），Buck-BoostCharger三種架構(gòu)。其中又屬HpB（HybridpowerBoost）最受歡迎。即使Buck-BoostCharger隨著USBpD的推廣，其（HpB）數(shù)量上仍與其不分上下。主要的原因是成本低及VIN（VSYS）為相對高壓供電。在中低階及電競機(jī)種仍受歡迎。在HpB（HybridpowerBoost）的ChargerIC，O2Micro仍持續(xù)推出新功能的產(chǎn)品，滿足客戶的設(shè)計(jì)需求。

OZ26786是2019Q1推出的新產(chǎn)品，與上一代量產(chǎn)的OZ26782為pintopin。設(shè)計(jì)上更彈性。主要差異是OZ26786增加了三組緩存器（寄存器），讓適配器的電流保護(hù)更加彈性及精確。

（圖一）

現(xiàn)在的NB電源設(shè)計(jì)，為求極致運(yùn)算效能及低成本下，工程師可以說是想盡辦法從各個可能的地方找出能量。而在過程中，常會挑戰(zhàn)到適配器保護(hù)機(jī)制。OZ26786提供了兩組programmableAdapterOCplevel供pROCHOT#信號使用。且其電流設(shè)定由6bitDAC來做線性調(diào)整，讓用戶有更多選擇。

（圖二）

適配器的過電流保護(hù)設(shè)計(jì)，通常是隨著過電流的比例增加，延遲保護(hù)的時間變短。在面對多變的系統(tǒng)“l(fā)oading”設(shè)計(jì)上，工程師往往只能透過拉低AdapterOCplevelforpROCHOT#的準(zhǔn)位，來避免”突來的短暫系統(tǒng)大電流”觸發(fā)到適配器保護(hù)點(diǎn)而斷電。

其實(shí)在這樣的調(diào)整下，雖然避免了觸發(fā)適配器的保護(hù)，但也犧牲了系統(tǒng)的效能。為此，凹凸科技（O2Micro）的OZ26786提供高低兩階的準(zhǔn)位設(shè)定。在高電流的設(shè)定準(zhǔn)位有較短的延遲保護(hù)時間，較低的電流準(zhǔn)位則較長。如此系統(tǒng)可以不用因?yàn)槎虝旱拇箅娏?，而調(diào)低適配器警示（pROCHOT#）電流準(zhǔn)位。進(jìn)而提升系統(tǒng)效能。

實(shí)際應(yīng)用案例：系統(tǒng)上最大的負(fù)載，莫過于CpU及GpUchipset。而它們的負(fù)載表現(xiàn)，除了持續(xù)的平均值外，還包含了峰值電流。凹凸科技透過外接的電子負(fù)載（1.5Aload）來仿真持續(xù)的系統(tǒng)負(fù)載，再加上執(zhí)行3DMark程序。

在使用原始充電IC設(shè)計(jì)，僅單一個適配器電流準(zhǔn)位的警示（pROCHOT#）功能。其pROCHOT#是頻繁的被觸發(fā)（圖三）。跑出的3DMark分?jǐn)?shù)為p14161（圖四）。

（圖三）

（圖四）

而在充電IC改成OZ26786后，pROCHOT#罕有被觸發(fā)行為（圖五）。其最終跑出了p17045（圖六）高分。分?jǐn)?shù)落差將近3000分。這是充分利用精確的保護(hù)機(jī)制，提升系統(tǒng)效能的鮮明例子。

（圖五）

（圖六）

過去二十余年在充電IC領(lǐng)域的琢磨，讓凹凸科技累積了相當(dāng)多的寶貴經(jīng)驗(yàn)。凹凸科技也持續(xù)的貼近市場，了解需求，與時俱進(jìn)。凹凸科技（O2Micro）非常重視知識產(chǎn)權(quán)的開發(fā)和保護(hù)，擁有廣泛且大量的芯片及其應(yīng)用領(lǐng)域的國際發(fā)明專利和為數(shù)眾多的注冊商標(biāo)以及其他相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)。凹凸科技（O2Micro）憑借全球領(lǐng)先的電源管理系統(tǒng)架構(gòu)、豐厚的專利積累、快速的市場響應(yīng)能力、極其嚴(yán)密謹(jǐn)慎的質(zhì)量管控、牢固的客戶關(guān)系及在業(yè)內(nèi)良好的聲譽(yù)，贏得了與眾多國內(nèi)外知名廠商的合作機(jī)會，期望提供更多的有價值、飽含創(chuàng)新的的產(chǎn)品給客戶。