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醫(yī)療設(shè)備便攜式電池的使用

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1564次  |  2020年07月08日  

背景介紹


便攜式電池供電醫(yī)療設(shè)備的種類繁多,而能夠可靠地為這些設(shè)備供電的充電器控制電路也有多種選擇。精心選擇如鉭電容這樣的無(wú)源元件,可以提升便攜式設(shè)備內(nèi)充電器控制和儲(chǔ)能系統(tǒng)的整體性能。便攜式電池供電醫(yī)療設(shè)備的供電既可以使用一次性電池,也可以使用用電池充電器充電的后備可充電電池。對(duì)醫(yī)療設(shè)備便攜性和易用性的需求已經(jīng)催生了充電控制電路的多項(xiàng)改良。充電器和電池系統(tǒng)已從由許多組件組成的電路,發(fā)展為基于集成微處理器的系統(tǒng),不僅使用的無(wú)源元件少,而且布板空間也小。


鑒于醫(yī)療設(shè)備對(duì)高可靠性的要求,本文就商用

電池充電器基礎(chǔ)知識(shí)


對(duì)使用可充電二次電池的便攜式設(shè)備來(lái)說(shuō),可以使用多種類型的充電器:降壓充電器、離線充電器或者線性穩(wěn)壓器/充電器。最常用的類型是降壓充電器。這種充電器可以把電池源電壓轉(zhuǎn)換為較低電壓并予以穩(wěn)壓。轉(zhuǎn)換器可通過(guò)外部交流/直流適配器或者內(nèi)部適配器電路供電。線性穩(wěn)壓器結(jié)構(gòu)緊湊,非常適用于低容量電池充電器應(yīng)用。單芯片集成解決方法既可為便攜式設(shè)備供電,同時(shí)還可單獨(dú)對(duì)電池進(jìn)行充電。


圖1是小型直流/直流開關(guān)穩(wěn)壓器的例子。它可以為電池充電器供應(yīng)同步脈沖開關(guān)。該脈沖電池充電系統(tǒng)散熱小,采用TSSOp封裝,高度僅1.2毫米。該器件特性豐富,其中包括可在關(guān)斷時(shí)將電池(Vbat)和外部電源隔離開來(lái)。


充電器中使用的電容有多種類型。輸入去耦電容用于旁路噪聲。一般將0.1μFMLCC電容布置在Vcc引腳附近,用來(lái)濾除高頻噪聲。歡迎轉(zhuǎn)載,本文來(lái)自電子發(fā)燒友網(wǎng)(http://www.elecfans.com/)


圖1使用威世SiliconixSi9731實(shí)現(xiàn)的鋰離子或鎳鎘/鎳氫微處理器電池充電器


輸出電容類型的選擇應(yīng)取決于合適的ESR,以符合穩(wěn)定負(fù)載線路范圍,同時(shí)應(yīng)進(jìn)行下列項(xiàng)目的評(píng)估:


1.能夠降低功耗


2.能夠降低紋波電壓


3.能夠滿足系統(tǒng)負(fù)載線路的要求。


轉(zhuǎn)換器負(fù)責(zé)供應(yīng)負(fù)載電流和電壓。隨著負(fù)載的變化,電流的新增,電壓會(huì)下降。穩(wěn)壓器可以保持恒定電壓,但對(duì)負(fù)載電流的變化不能迅速做出響應(yīng),所以使用大容量電容來(lái)應(yīng)對(duì)這樣的變化,防止電壓下降。假如轉(zhuǎn)換器輸出的電流要通過(guò)電感,它就無(wú)法瞬時(shí)響應(yīng),這時(shí)就要在負(fù)載兩端跨接一個(gè)并聯(lián)電容組,來(lái)上拉電壓。有時(shí)會(huì)混合使用MLCC和鉭電容,以降低總體大容量電容的ESR。由于MLCC的阻抗較低,會(huì)先充電,然后才是大容量鉭電容。


電源及輸出電容的要求


便攜式醫(yī)療設(shè)備使用的電池或?yàn)橐淮涡噪姵兀驗(yàn)槎坞姵?。一次性電池一般只使用一次。在電路工作過(guò)程中,活性化學(xué)物質(zhì)被消耗殆盡。一旦放電完畢,電路將停止工作,必須更換新的電池。二次電池可以在放電完畢后充電,因?yàn)槌霈F(xiàn)電能的化學(xué)反應(yīng)可以逆轉(zhuǎn),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電池系統(tǒng)充電。電源、電池類型的選擇視應(yīng)用而定。醫(yī)療設(shè)備常用的一次性電池類型有堿性電池和鋰離子電池。


二次電池有鋰離子(Li-ion)電池、鎳鎘電池(NiCad)、鎳氫(NiMH)電池和鉛酸電池。其中鋰離子電池最常用,這是因?yàn)殇囯x子電池的體積能量密度和質(zhì)量能量密度最大,放電率極低,這意味著閑置時(shí)有良好的荷電保持能力。


表2鉭電容的功耗及容量范圍


便攜式設(shè)備電路要輸出電容,而輸出電容通常由一次性或者二次電池供電,可以在負(fù)載瞬變過(guò)程中減輕電壓過(guò)沖或者下沖。要有效地濾除噪聲,電容的等效串聯(lián)電阻(ESR)是重點(diǎn)考慮的參數(shù)。輸出電容用來(lái)處理電路的紋波電流和電壓。要對(duì)電容組的過(guò)熱予以控制,這樣在電路工作中,不會(huì)超過(guò)最大允許功耗。要確定的是,通過(guò)輸出電容的紋波電流不超出允許值。


表2概述了在+25˚C和f=100kHz條件下各種封裝(按外殼尺寸劃分)的最大允許額定功率。對(duì)溫升在+25℃以上的應(yīng)用,建議應(yīng)進(jìn)一步進(jìn)行降額。請(qǐng)參考電容生產(chǎn)廠家有關(guān)針對(duì)可適用的鉭電封裝的功率降額建議。


可使用公式p=Irms2xESR計(jì)算出最大允許交流紋波電流(Irms),其中p表示鉭電容外殼尺寸對(duì)應(yīng)的最大允許功率,ESR則可根據(jù)電容的工作頻率計(jì)算得出。


對(duì)鉭電容,還要遵守合適的電壓降額規(guī)范,不可超出生產(chǎn)廠家建議的額定值。輸出電容的工作電壓應(yīng)由電壓電路狀態(tài)決定。其可根據(jù)公式Vrated=Vpeak+Vdc計(jì)算得出,即紋波電壓加上直流電壓噪聲。允許的紋波電壓的計(jì)算方法為E=IxZ,其中Z表示電容器電阻??傮w來(lái)說(shuō),較低的ESR可以幫助降低輸出紋波噪聲。


在電路中加入大容量電容還能在無(wú)負(fù)載條件下(此時(shí)電池尚未工作,使用線路電流供電)起到上電用途。當(dāng)使用線路電流供電時(shí),在選擇大容量鉭電容的額定值的時(shí)候,應(yīng)遵從降額規(guī)范。


為電池供電的低壓降穩(wěn)壓器(LDO)選擇輸出電容


便攜式設(shè)備中的線性電壓穩(wěn)壓器或低壓降穩(wěn)壓器(LDO)均采用電池供電。電容的大小非常重要,因?yàn)長(zhǎng)DO一般采用小型SOT封裝。在負(fù)載變化時(shí),常用LDO來(lái)確保供應(yīng)高精度電壓。在50mA負(fù)載電流下,出現(xiàn)90mV壓降非常典型。舉例來(lái)說(shuō),假如低壓降穩(wěn)壓器的生產(chǎn)廠家規(guī)定使用電容的目的是降低噪聲,那么在選擇電容類型的時(shí)候應(yīng)考慮:


醫(yī)療設(shè)備的性能要求


規(guī)定的ESR安全工作范圍


電容的尺寸及成本


額定電壓


表3各類型電容的ESR要求


要滿足如表3所示的ESR要求,在電容技術(shù)方面有多項(xiàng)選擇。通過(guò)檢查電路負(fù)載線的穩(wěn)定性,可以為線路的正常工作選擇合適的電容技術(shù)。


對(duì)低壓降(LDO)穩(wěn)壓器進(jìn)行負(fù)載線穩(wěn)定性分析可以得出各種負(fù)載情況下的最低和最高ESR值。


舉例來(lái)說(shuō),假如使用10μF的鉭電容用于負(fù)載線瞬態(tài)穩(wěn)定,10kHz下測(cè)得的ESR的安全工作范圍為最大10Ω,最低10mΩ(見圖2)。


圖2穩(wěn)定運(yùn)行的LDO穩(wěn)壓器對(duì)ESR的要求


在本例中,假如LDO要高效率地工作,則要低ESR的最小尺寸的電容器。對(duì)該應(yīng)用來(lái)說(shuō),符合要求的低ESR電容技術(shù)種類比較多。鉭電容的ESR一般情況下都是生產(chǎn)廠家在100kHz條件下含義的。本應(yīng)用要10kHz下的ESR,以便實(shí)現(xiàn)合適負(fù)載線穩(wěn)定性。


選擇合適的電容可以通過(guò)10kHz時(shí)的阻抗-頻率關(guān)系來(lái)確定。如表2所示,有幾種固態(tài)鉭電容適用于該應(yīng)用。MLCC、鉭電容、鋁電解電容的對(duì)應(yīng)ESR請(qǐng)參見表2。雖然與采用錳負(fù)極的標(biāo)準(zhǔn)固態(tài)鉭電容相比,鉭聚合物電容ESR更低,但由于近期采用二氧化錳(MnO2)負(fù)極對(duì)鉭電容結(jié)構(gòu)的改進(jìn),部分標(biāo)準(zhǔn)固態(tài)鉭電容產(chǎn)品的ESR低于50mΩ,完全可以用于LDO應(yīng)用。


圖30603鉭電容的阻抗-頻率曲線


圖4顯示了威世TM8-298D系列M或0603外殼尺寸的電容器。0603鉭電容在10kHz時(shí)的ESR為1.19Ω,如圖3的鉭電容阻抗-頻率曲線所示。該ESR正處于安全工作范圍內(nèi),可實(shí)現(xiàn)出色的電路負(fù)載線穩(wěn)定性。在本例中,假如采用具有10mΩ以下超低ESR的MLCC電容,在電路中就要給電容串聯(lián)一個(gè)小電阻,以便為ESR供應(yīng)安全工作范圍。由于空間及組件數(shù)量有限,采用單個(gè)0603鉭電容就可以同時(shí)滿足ESR和空間要求。


圖4鉭電容的尺寸縮減


在某些情況下,在電路中同時(shí)要大容量電容來(lái)減少壓降,以及超低ESR來(lái)處理紋波。在更高效率和更低功耗之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡傾向于使用ESR較低的電容。


也可以使用其他具有較高ESR的電容技術(shù)。MLCC00805是采用400層0805大小的X5R介電層的電容,規(guī)格為10μF~10V。另有采用0603X5R介電層的10μF~10V電容。它們的ESR在10kHz條件下為20mΩ。與鉭電容相比,MLCC電容的ESR非常低。然而關(guān)于在本應(yīng)用中用于LDO的電容來(lái)說(shuō),更低的ESR并不具有優(yōu)勢(shì)。


在本例應(yīng)用的電容選擇中,電路板空間和成本也是要考慮的因素。


圖5M.A.p.鉭電容封裝


更先進(jìn)的鉭電容封裝去掉了引線框,提高了體積封裝效率和電氣性能。圖6對(duì)多陣列封裝(M.A.p.)裝配技術(shù)和傳統(tǒng)封裝技術(shù)進(jìn)行了比較。在標(biāo)準(zhǔn)鉭電容封裝中取消引線框裝配可以節(jié)省更多空間以容納更多的鉭芯。而在傳統(tǒng)引線框封裝中,鉭電容封裝的主體部分是塑封材料或者封裝物。如圖5所示,連接到引線框的正極引線也會(huì)占用封裝空間??偟膩?lái)說(shuō),傳統(tǒng)引線框架封裝可用體積有效利用率僅30%。


如圖6所示,通過(guò)采用M.A.p.工藝提升封裝中的鉭芯放置精度,從而縮減整體封裝尺寸,實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的尺寸誤差控制。采用M.A.p.工藝實(shí)現(xiàn)的封裝還能夠降低凈空和為垂直方向的高密度線路供應(yīng)更好的參照線。舉例來(lái)說(shuō),標(biāo)準(zhǔn)的注塑引線框架鉭電容D型最大高度為4.1mm,而采用M.A.p.工藝生產(chǎn)的D型的高度為1.65mm。


圖6最新MAp鉭電容封裝具有最高體積效率


借助M.A.p.工藝,鉭電容的外殼尺寸一路從A下降到0805(目前的技術(shù))到0603或者0402。鉭粉的改良可以把10F~10V容量的0805外殼尺寸減少到0603的外殼尺寸,如圖4所示。


電容直流漏電/絕緣電阻比較


在用電池作為電源的時(shí)候,電容直流漏電流(DCL)應(yīng)被視為損耗,因?yàn)殡娙輹?huì)影響電池的使用狀況和壽命。除了電池,大容量電容也用作便攜式設(shè)備中的補(bǔ)充電源,以應(yīng)對(duì)電路負(fù)載的變動(dòng)。


許多便攜式設(shè)備應(yīng)用要求低DCL,以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間、高效率的電池壽命。為應(yīng)對(duì)負(fù)載變化,與電池并聯(lián)一個(gè)大容量輸出電容可以保持儲(chǔ)電能力。在某些應(yīng)用中,設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間是時(shí)斷時(shí)續(xù)的短周期,在大多數(shù)時(shí)間里電池處于閑置狀態(tài)。因此,該電容要極低的DCL來(lái)滿足便攜式設(shè)備的應(yīng)用需求,盡量延長(zhǎng)電池的使用壽命。


直流漏電數(shù)值很小,所有電容都有這個(gè)問(wèn)題。鉭電容的漏電流為數(shù)微安,而MLCC的漏電流為數(shù)微微安。直流漏電流的測(cè)量方法是采用等效的電阻-電容串聯(lián)電路,加上直流電壓,在室溫下測(cè)量電流。電容應(yīng)串聯(lián)一個(gè)1000Ω的電阻,以限制充電電流。


圖7鉭電容的DCL曲線


描述DCL的術(shù)語(yǔ)和測(cè)量單位隨電容技術(shù)不同而不同。DCL是用于鉭電容的測(cè)量單位,而絕緣電阻(IR)則是用于MLCC的測(cè)量單位。根據(jù)電介質(zhì)類型,MLCC有一個(gè)IR限值。對(duì)采用X5R電介質(zhì)的大電容MLCC,IR限值為10,000MΩ或(RxC)≥500ΩF,以低者為準(zhǔn)。MLCC均采用符合特種產(chǎn)品規(guī)范55681的自動(dòng)IR測(cè)試儀進(jìn)行過(guò)IR最小值篩選。


DCL可根據(jù)歐姆定律,用電容的IR和額定電壓計(jì)算得出。舉例來(lái)說(shuō),MLCC的IR限值為100MΩ-F,相當(dāng)于鉭電容標(biāo)準(zhǔn)DCL限值則為0.01,即(電容x電壓)=0.01A/FV。


鉭電容均根據(jù)規(guī)定的DCL最小值進(jìn)行過(guò)篩選,或者不超過(guò)規(guī)定的最大值。鉭電容DCL的測(cè)試系根據(jù)特種產(chǎn)品規(guī)范55365F。各種規(guī)格的鉭電容之間的DCL差異比較明顯,所以每種規(guī)格的鉭電容的限值都是單獨(dú)規(guī)定的。


在便攜應(yīng)用中,較長(zhǎng)保壓時(shí)間(soakTIme)下的DCL是電容重要的指標(biāo)。關(guān)于有具體規(guī)格和鉭芯設(shè)計(jì)的鉭電容,某個(gè)生產(chǎn)批次中的DCL分布是可以量化的。假如應(yīng)用要求極低DCL,可以方便地從某個(gè)批次中自動(dòng)篩選出某個(gè)額定電壓下具有特定DCL符合便攜式設(shè)備使用條件的鉭電容。


圖8是一種47F-10V的鉭電容,雖然其最大DCL為4.7A,根據(jù)特定的保壓時(shí)間篩選后,可為應(yīng)用供應(yīng)超低DCL。以圖8的元件為例,該批量可以按照10秒鐘DCL600nA的標(biāo)準(zhǔn)篩選,從而把總體DCL從4.7A降至600nA限值。


圖8


DCL限值應(yīng)根據(jù)電池供電設(shè)備的工作時(shí)間和非工作時(shí)間來(lái)決定。舉例來(lái)說(shuō),假如某便攜式設(shè)備的工作時(shí)間很短,只有幾秒鐘,而隨后長(zhǎng)期處于閑置狀態(tài),那么大容量電容應(yīng)具備低DCL,以保證較長(zhǎng)的電池使用壽命。另外,應(yīng)該對(duì)電路的總體靜態(tài)電流和工作電流進(jìn)行評(píng)估,以確定是否要低DCL電容。


電池運(yùn)行時(shí)間和DCL


對(duì)可充電二次電池來(lái)說(shuō),DCL也很重要,這樣可以延長(zhǎng)充電間隔時(shí)間,不過(guò)總體工作電流中可以允許輸出電容一定程度的漏電流存在。評(píng)估電路在各種使用狀況下的電流要求,了解電容的DCL,可以顯著延長(zhǎng)電池使用壽命。


通過(guò)測(cè)量DCL或者IR可以了解電容電介質(zhì)的性能以及電介質(zhì)層的質(zhì)量。DCL電流在加電的情況下,會(huì)流經(jīng)或者跨越電容電介質(zhì)隔離層。對(duì)鉭電容這樣采用氧化膜制造的電容來(lái)說(shuō),DCL電流的主體構(gòu)成部分是多種電流混合而成,有流經(jīng)電介質(zhì)的表面漏電流、因電介質(zhì)材料極化而出現(xiàn)的電介質(zhì)吸收(DA)電流、流經(jīng)電介質(zhì)材料的原生漏電流。類似的,采用基于鈦酸鋇的陶瓷電介質(zhì)的MLCC的漏電流重要是流經(jīng)電介質(zhì)的漏電流,以及DA損耗和原生漏電流。


MLCC具有良好的低DCL特性,但在某些情況下,鉭電容能夠以更小的體積供應(yīng)同樣低的DCL。表5比較說(shuō)明了根據(jù)DCL要求正確評(píng)估和選擇合適的電容的計(jì)算方法。如表5所示,鉭電容一般按照DCL最大值來(lái)確定規(guī)格。標(biāo)準(zhǔn)二氧化錳(MnO2)構(gòu)造的鉭電容在生產(chǎn)廠家處是按照(.01xCV)進(jìn)行分級(jí)的。某些電容生產(chǎn)廠家還會(huì)隨DCL信息供應(yīng)具體的保壓時(shí)間,并且根據(jù)比同級(jí)別的DCL最大值低得多的具體DCL限值進(jìn)行電容器的預(yù)篩選。


選擇適用的低DCL電容


舉例來(lái)說(shuō),某種短工作占空比的便攜式電池供電醫(yī)療設(shè)備要線路每天啟動(dòng)電機(jī)幾秒鐘,然后關(guān)閉。這樣的應(yīng)用可以使用低DCL的大容量電容。


具體使用:


DC/DC轉(zhuǎn)換器,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)


輸入電壓:1.5V


固定輸出電壓:3.3V


輸出電流:200mA@2V


大容量輸出電容:47F


保壓時(shí)間60秒時(shí)的DCL=200nA


假如該47F大容量電容是鉭電容,則應(yīng)進(jìn)行適當(dāng)?shù)碾妷航殿~。降額應(yīng)根據(jù)鉭電容生產(chǎn)廠家的降額規(guī)范,具體示例見表4。本示例選擇了10V的額定電壓。


表4鉭電容的降額規(guī)范


MLCC的額定電壓可以與工作電壓相同或者略高,因此6V的額定電壓已經(jīng)足夠。對(duì)MLCC而言,假如已知IR(見表5)和工作電壓(4V),可以計(jì)算出DCL。適用于低DCL應(yīng)用的MLCC有X5R和X7R兩種電介質(zhì)。根據(jù)額定工作電壓,可以根據(jù)歐姆定律,用元件的IR值計(jì)算出DCL。


表5低DCL電容器選擇


為確定鉭電容的DCL限值,對(duì)多個(gè)生產(chǎn)批次中的外殼尺寸為D和F的MAp47F-10V電容進(jìn)行了批量測(cè)試,并對(duì)每個(gè)電容的在不同保壓時(shí)間(60秒)下的DCL和對(duì)應(yīng)的保壓時(shí)間都進(jìn)行了記錄,如圖7所示。然后采用統(tǒng)計(jì)分析方法,確定每個(gè)批次的較低DCL。另外,還采用獨(dú)特的成型工藝強(qiáng)化了負(fù)極,以提升和降低電容的DCL性能。對(duì)任何與標(biāo)準(zhǔn)批次相悖的DCL曲線都予以關(guān)注,最后找出DCL的較低限值。


圖4所示的是各種封裝選擇和每種封裝選擇的體積要求。威世的572D系列鉭電容既能滿足DCL要求,又具有最高的體積效率,體積僅為8.39mm3。假如對(duì)空間的要求不是那么嚴(yán)苛的話,該應(yīng)用也可使用MLCC。X5R電介質(zhì)MLCC的DCL低至187nA,與選擇鉭電容相同,只要一個(gè)大容量電容就能滿足要求。MLCCX7R電介質(zhì)電容的電容溫度系數(shù)比X5R更加優(yōu)越,但要組成大容量電容要兩個(gè)MLCC電容并聯(lián)。


在某些電路中,施壓后電容器保持電容的能力是一個(gè)重要的考量因素。對(duì)X5R電介質(zhì)MLCC,在選擇元件的額定電壓時(shí),應(yīng)考慮其電容電壓系數(shù)(VCC)。假如包括紋波電壓在內(nèi)的直流應(yīng)用電壓接近MLCC的額定電壓,VCC效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致該元件損耗部分電容。電容損耗可能會(huì)影響電路工作。另外,在選擇元件的時(shí)候,還要考慮溫度對(duì)MLCC的IR的影響以及電容溫度系數(shù)(TCC)。生產(chǎn)廠家會(huì)供應(yīng)特定電介質(zhì)隨溫度上升IR的劣化曲線。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)對(duì)溫度效應(yīng)進(jìn)行評(píng)估。


改善鉭電容的DCL


鉭電容的電介質(zhì)層是一層五氧化二鉭薄膜,覆蓋在每顆鉭芯表面上。其采用陽(yáng)極化工藝,由厚5nm~10nm的N型氧化鉭層和五氧化二鉭純半導(dǎo)體層復(fù)合而成。層厚與陽(yáng)極化電壓成比例,同時(shí)決定了元件的額定電壓。對(duì)用于6V電池應(yīng)用的固鉭電容而言,最終的鉭電介質(zhì)層厚度為0.04微米或者40納米。


超大容量的MLCC則采用澆覆厚度為2.0微米的陶瓷電介質(zhì)薄層的方式來(lái)制造,這樣比鉭電容的要厚得多。MLCC采用層疊工藝,最終制造出多層電容。與鉭電容相同,MLCC的電介質(zhì)層厚度決定了額定電壓,電介質(zhì)層數(shù)決定了容量。介電常數(shù)的差異導(dǎo)致了IR的巨大差別。


鉭電容的DCL會(huì)因?yàn)檎龢O表面的機(jī)械損壞或者氧化層表面的破裂而上升。如圖8所示,正極的外表面屬于易損部分,受到熱、機(jī)械和電氣用途的共同影響。表面DCL會(huì)受濕度的影響,并導(dǎo)致長(zhǎng)時(shí)間工作的不穩(wěn)定。


改進(jìn)鉭芯的生產(chǎn)工藝,更好地控制氧化物層的厚度,可以幫助消除如圖8所示的表面DCL問(wèn)題。在鉭芯的外表面生成較厚的電介質(zhì)薄膜,防止其受到機(jī)械損壞,從而大幅改善DCL性能,降低DCL。除了改進(jìn)鉭電容的正極結(jié)構(gòu),與聚合物負(fù)極結(jié)構(gòu)相比,鉭電容的二氧化錳負(fù)極結(jié)構(gòu)具有更為優(yōu)異的DCL性能,因該材料有更好的導(dǎo)電性。


圖9顯示了采用這種新技術(shù)制造而具有出色DCL性能的新型MAp0603封裝。結(jié)合對(duì)鉭芯的改進(jìn),最新MAp系列鉭封裝能夠改善裝配、封裝和端接工藝,防止機(jī)械損壞,提升電容的體積效率。


改進(jìn)醫(yī)用級(jí)鉭電容的DCL可靠性


因?yàn)槟承┽t(yī)療設(shè)備要高可靠性,特別是對(duì)關(guān)鍵任務(wù)型應(yīng)用而言,電容生產(chǎn)廠家供應(yīng)穩(wěn)健且保守的設(shè)計(jì)來(lái)滿足性能需求。通過(guò)精心的鉭芯和鉭粉設(shè)計(jì),醫(yī)用鉭電容的性能會(huì)高出標(biāo)準(zhǔn)的商用鉭電容以及采用傳統(tǒng)技術(shù)生產(chǎn)的高可靠產(chǎn)品。


圖9


生產(chǎn)廠家會(huì)對(duì)每種設(shè)計(jì)適用的鉭粉進(jìn)行評(píng)估。隨電容器CV的上升,失效率隨之上升,因此應(yīng)針對(duì)具體的設(shè)計(jì)選擇合適粒徑的鉭粉。對(duì)醫(yī)用級(jí)設(shè)計(jì)而已,其目的是在可用的外殼尺寸范圍內(nèi)供應(yīng)更為可靠的DCL性能。對(duì)商用級(jí)設(shè)計(jì)而言,其目的是通過(guò)以最小的可用外殼尺寸供應(yīng)更高的-kCV鉭粉,從而盡量降低成本,最大化設(shè)計(jì)收益。因此商用鉭電容的DCL總體上會(huì)高于醫(yī)用鉭電容。


下面舉例說(shuō)明目前的醫(yī)用TM8系列DCL改進(jìn)后與傳統(tǒng)高可靠194D系列的比較情況。


圖10對(duì)F外殼尺寸的194D系列設(shè)計(jì)與TM8系列設(shè)計(jì)進(jìn)行了比較。194D是一種用于眾多高可靠應(yīng)用中的老式設(shè)計(jì)。鉭芯設(shè)計(jì)采用高-kCV粉末,為23kCV。而TM8是一種較新的醫(yī)用級(jí)設(shè)計(jì),使用10Kvc粉末,大幅度改善了DCL性能,而且采用的最新MAp裝配工藝,不會(huì)新增板級(jí)空間占用。


圖10


醫(yī)療設(shè)備中的高蓄能鉭電容


小型便攜式或者植入型心律轉(zhuǎn)復(fù)除顫器(ICD)適用于與可能因室性快速型心律失常而突發(fā)心臟病死亡的患者。便攜式除顫器與ICD具有類似功能,都是設(shè)計(jì)用于為心臟供應(yīng)電療,恢復(fù)正常心律。電療線路采用高能充電電容,用于電擊心臟組織。


某些設(shè)計(jì)采用高能鋁電解電容,但要后備電池以及一個(gè)用來(lái)實(shí)現(xiàn)重整期的程序,以在設(shè)備的生命周期內(nèi)保持良好的充電效率。與鋁電解電容相比,高能濕鉭充電電容無(wú)需重整,且具有更高的能量密度。


電容的儲(chǔ)能能力取決于電介質(zhì)的相對(duì)電容率的值的大小和材料內(nèi)的最大可允許電壓。當(dāng)電場(chǎng)出現(xiàn)后,任何電容電介質(zhì)的導(dǎo)電行為都會(huì)導(dǎo)致電容損耗。而且損耗會(huì)隨電場(chǎng)變化而加大,比如交流電。電介質(zhì)的分子存在出現(xiàn)某種程度的極化,而在電場(chǎng)出現(xiàn)后,初始的時(shí)候這些分子的位移是相反的。部分能量消耗在分子的位移上,并在這個(gè)過(guò)程中消耗殆盡。當(dāng)電場(chǎng)變化或者消失,這種損耗就體現(xiàn)為熱量。


箔式鋁電解電容浸沒(méi)在導(dǎo)電電解質(zhì)中。電介質(zhì)由鋁箔表面的氧化膜構(gòu)成,其厚度一般為50到100納米,其決定了單位電極面積的容量。鉭電容也有氧化物膜層,但厚度要小得多,一般只有5到10納米。選擇儲(chǔ)能設(shè)備使用的電容類型時(shí),要考慮工作壽命、板級(jí)空間和成本要求。因?yàn)樾呐K除顫要非常高的能量,所以只有鋁電解電容和濕鉭電容適用。


結(jié)論


本文討論了便攜式醫(yī)療設(shè)備的各種應(yīng)用及其使用的電路。針對(duì)這些便攜式應(yīng)用,有多種電容可供選擇。選擇適用于這類應(yīng)用的電容時(shí),優(yōu)先考慮的電氣參數(shù)是電容的DCL和ESR。由于某些醫(yī)療應(yīng)用對(duì)可靠性和電池使用壽命要求極高,一些電容無(wú)法適用。


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